La cerámica avanzada es reconocida por sus excepcionales propiedades mecánicas, acústicas, ópticas, térmicas, eléctricas y biocompatibles, por lo que es indispensable en las industrias de alta tecnología como aeroespacial, electrónica, biomedicina y fabricación de equipos de alta gama. Estas cerámicas vienen en varias formas, cada una con características únicas. Por ejemplo, la cerámica de alúmina es conocida por su resistencia a la oxid, la cerámica de nitrurde de silipor su alta resistencia y resistencia a la corrosión eléctrica, y la cerámica de zirconia por su tenacidad y biocompatibilidad.
Alúmina de alta pureza (4N y superior) cuenta con una alta pureza, dureza, resistencia y resistencia a la temperatura. Su estabilidad química superior y aislamiento lo convierten en un material de alta gama con amplias aplicaciones. Como un producto representativo de alúmina de alto rendimiento, HPA es ampliamente utilizado en campos como los materiales fluorescentes, cerámica transparente, dispositivos electrónicos, energía renovable, materiales catalíticos y componentes aeroespaciales.
En particular, los materiales cerámicos transparentes de alúmina de alta pureza no sólo ofrecen una excelente transmisión de la luz, sino que también superan a la cerámica opaca en propiedades mecánicas, ópticas, térmicas y eléctricas. Los sustrcercerámicos de alúmina son los materiales base más comúnmente utilizados en la industria electrónica contemporánea, sirviendo como material fundamental para chips de circuitos integrados. Además, HPA encuentra aplicaciones de alta gama en componentes de precisión para equipos semiconductores, donde sus requisitos de rendimiento son significativamente más estrictos que los de la cerámica fina en general.
En la industria de pulido de semiconductores, el papel de la alúmina de alta pureza como un abrasivo es particularmente crucial, especialmente con el aumento de los semiconductores de carburde sili(SiC). La alúmina ultrafina de alta pureza se ha vuelto cada vez más importante para el pulido de semiconductores.
La boehmita, una alúmina hidratcon la fórmula química − -Al2O3·H2O o − -AlOOH, es un material vital debido a su alta área superficial específica, gran porosidad, y la capacidad de mantener su morfopost-fase de transición.
Sus propiedades únicas lo convierten en una materia prima esencial para la fabricación de adsorbentes rápidos, eficientes y reutilizables. Con notable biocompatibilidad, la boehmita es ampliamente utilizada en ortopedia, odontoy biomedicina. Su resistencia a la llama, su excelente capacidad de llenado y su resistencia a las fugas lo convierten en una opción popular para laminde alto rendimiento y recubierde cobre ultra-delgado. Adicionalmente, boehmite's la estructura ortorrómbica estable y los grupos hidroxilo de la superficie permiten varias modificaciones de la superficie, por lo que es una valiosa materia prima para producir catalizadores y reactivos costosos.
A medida que los chips electrónicos continúan haciéndose más avanzados y compactos, la densidad de flujo de calor generada durante la operación ha aumentado significativamente. Por lo tanto, la selección de materiales de embalaje adecuados y la mejora de las capacidades de disiel calor del dispositivo se han convertido en cuellos de botella técnicos en el desarrollo de dispositivos de energía. Los materiales cerámicos, con su alta conductividad térmica, excelente resistencia al calor, alto aislamiento, resistencia, y compatibilidad con materiales de chip, son ideales para el poder de dispositivo de embalaje sustratos.
Entre estos, el nitrurde aluminio (AlN) es el material cerámico con la mejor conductividad térmica, con una conductividad térmica teórica de hasta 320W/(m·K) y los productos comerciales típicamente van desde 180W/(m·K) a 260W/(m·K). Esto lo hace adecuado para materiales de sustrde de embalaje de chip de alta potencia, alto contenido de plomo y gran tamaño. Además de la alta conductividad térmica, AlN cuenta con varias otras características destacadas:
Un coeficiente de expansión térmica (4.3 − 10-6/ −) que coincide con los materiales de silisemiconductor ((3.5~4.0) − 10-6/ −).
Propiedades mecánicas superiores, superiores a la cerámica BeO y comparables a la alúmina.
Excelentes propiedades eléctricas, incluyendo una resistencia de aislamiento extremadamente alta y baja pérdida dieléctrica.
La capacidad de soportar cablemulticapa, lo que permite un empaquetde alta densidad y miniaturi.
No tóxico y respetuoso con el medio ambiente.
El nitrurde de silise utiliza principalmente como material cerámico y es un componente crítico en tecnologías industriales avanzadas. Entre sus productos, las bolas de rodson las más utilizadas, representando el 30% de la producción mundial de productos de nitrurde silide alto rendimiento. En comparación con las bolas de acero, las bolas de soporte de cerámica de nitrurde de siliofrecen ventajas significativas: baja densidad, resistencia a altas temperaturas, autolubric, resistencia a la corrosión y un modo de falla por fatiga similar a las bolas de acero. Por lo tanto, las bolas de soporte cerámico de nitrurde de silison ampliamente utilizadas en rodde de precisión para máquinas herramienta, rodde de automoción, rodde de aislamiento para turbinas eólicas y rodde de alta temperatura y resistentes a la corrosión en la industria petroquímica.
Entre varios materiales en polvo térmicamente conductores, la alúmina esférica se destaca por su excelente conductividad térmica, alto coeficiente de llenado, buena fluidez, tecnología madura, amplia gama de especificaciones y precio relativamente razonable. Estas cualidades lo convierten en el polvo conductivo térmicamente más corriente en el sector de conductividad térmica de alta gama.
Además, la forma esférica del polvo, con su morforegular, mayor densidad de empaquet, y fluidez superior, mejora significativamente el rendimiento del producto. Por lo tanto, polvo esférico de Al2O3 es ampliamente utilizado y estudiado no sólo en aplicaciones de conductividad térmica, sino también en cerámica, portadores de catalizador, y más.
El titanato de bario (BaTiO3), con su estructura de perovskita tipo abo3, ha sido un material dieléctrico crucial para los condensdesde que sus excepcionales propiedades dieléctricas fueron descubiertas a principios del siglo XX. Actualmente es uno de los polvos cerámicos electrónicos más utilizados y sirve como material base para la fabricación de componentes electrónicos, lo que le valiel título de "pilar de la industria cerámica electrónica."
El Nano compuesto zirconia, estabilicon estabilizadores, conserva su fase tetragonal o cúba temperatura ambiente. Estos estabilizadores son típicamente óxidos de tierras raras (Y2O3, CeO2) o óxidos de metales alcalinotérreos (CaO, MgO).
Con los avances en la ciencia y la tecnología, la demanda de materiales y componentes que cumplan con los requisitos funcionales específicos ha aumentado. El Nano compuesto de zirconia, conocido por su alta tenacidad, resistencia a la temperatura, resistencia al desgaste, resistencia a la corrosión y propiedades ópticas únicas, ha visto un rápido crecimiento en la demanda. La zirestabilicon itria es la zircompuesta nano más usada y representativa. Sus ventajas incluyen una alta conductividad de iones de oxígeno, excelentes propiedades mecánicas, resistencia a la oxidy la corrosión, alto coeficiente de expansión térmica, baja conductividad térmica y buena estabilidad, por lo que es ampliamente utilizado en materiales estructurales y funcionales, tales como sensores de oxígeno, bombas de oxígeno, celdas de combustible sólidas de alta temperatura, cerámica ferroeléctrica y recubrimientos de motores de avión.
Los materiales de carburde silise dividen principalmente en tipos de cerámica y de un solo cristal. Como material cerámico, los requisitos de pureza generalmente no son estrictos en la mayoría de las aplicaciones. Sin embargo, en entornos específicos, como en equipos semiconductores como las máquinas de litografía, la pureza del SiC debe ser estrictamente controlada para evitar que afecte a la pureza de las obleas de silicio.
Sin embargo, las propiedades inherentes del SiC hacen que el crecimiento de un solo cristal sea un reto, principalmente porque no hay fase líquida estequiométrica con un Si
La relación de 1:1 existe bajo presión normal. Por lo tanto, los métodos de crecimiento tradicionales comúnmente utilizados en la industria de semiconductores, como los métodos de Czochralski o Bridgman, no se pueden aplicar. Para superar este desafío, los científicos han propuesto varios métodos para obtener cristales de SiC de alta calidad de cristal, de gran tamaño y rentables. Los métodos más utilizados incluyen transporte físico de Vapor (PVT), Epitaxy de fase líquida (LPE), y deposición química de Vapor de alta temperatura (HTCVD).
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Sanxin New Materials Co., Ltd. se centra en la producción y venta de granos de cerámica y piezas tales como medios de molienda, granos de chorro de arena, bolas de rod, parte de la estructura, revestimiento resistente al desgaste de cerámica, nanopartículas Nano polvo
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